拓扑绝缘体-拓扑绝缘体

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预言和发现

拓扑保护的边缘状态（一维）在碲化汞/碲化镉量子阱中被预言于1987年，随后于2007年由实验观测证实。很快，拓扑绝缘体又被预言存在于含铋的二元化合物三维固体中。第一个实验实现的三维拓扑绝缘体在锑化铋中被观察到，随后不同实验组又通过角分辨光电子谱的方法，在锑，碲化铋

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，硒化铋，碲化锑中观察到了拓扑保护的表面量子态。现在人们相信，在其他一些材料体系中，也存在拓扑绝缘态。在这些材料中，由于自然存在的缺陷，费米能级实际上或是位于导带或是位于价带，必须通过掺杂或者通过改变其电势将费米能级调节到禁带之中。

类似的边缘效应同样出现于量子霍尔效应之中，但仅在强垂直磁场，低温的二维系统现。

更多阅读

Moore, Joel. The Birth of Topological Insulators. Nature. 2010, 464 (7286): 194. doi:10.1038/nature08916. PMID20220837.

Kane, C. L.; Mele, E. J. A New Spin on the Insulating State. Science. 2006, 314 (5806): 1692. doi:10.1126/science.113

中国历史人物事迹

6573. PMID17170283.

Kane, C.L. Topological Insulator: An Insulator with a Twist. Nature. 2008, 4 (5): 348. doi:10.1038/nphys955.

Witze, Alexandra.Topological Insulators: Physics On the Edge. Science News. 2010.

Brumfield, Geoff.Topological insulators: Star material: Nature News. Nature. 2010, 466 (7304): 310–311 [2010-08-06]. doi:10.1038/466310a. PMID20631773.

Murakami, Shuichi.Focus on Topological Insulators. New Journal of Physics. 2010.

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